1Gigabit自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器（ST-MRAM）是具有DDR4兼容接口的高耐久性持久存儲器，可使存儲系統(tǒng)廠商能夠通過在不使用超級電容器或電池的情況下，提供防止電源丟失的保護來提高存儲設備和系統(tǒng)的可靠性和性能。

企業(yè)SSD設計人員可以利用固有的電源故障安全性的快速永久性存儲器，同時還減少了寫入放大和過度配置，這些對于NAND Flash的SSD來說都是常見的限制。

1GMRAM在GloFo的垂直磁隧道結（pMTJ）技術上用300mm晶圓制成28nm CMOS。

1Gb部分的快速發(fā)展是pMTJ在不到一年的時間從40nm移動到28nm工藝的高度可擴展性的直接結果。