環(huán)球晶圓公司將在“LED TAIWAN 2016”功率元件制造專區(qū)中，展出寬能隙半導體元件（Wide Bandgap Semiconductor Device）關鍵材料最新的研發(fā)成果。

環(huán)球晶圓為全球前六大半導體矽晶圓材料供應商，向來積極深耕具前瞻性之基板材料，此次專題展覽，將完整呈現(xiàn)環(huán)球晶圓致力發(fā)展寬能隙功率半導體關鍵材料，在功率半導體的產(chǎn)品研發(fā)與技術推進。

展會中，環(huán)球晶圓將依功率元件的應用功率，分別展出矽（Si）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）的產(chǎn)品。矽產(chǎn)品將展出3”~ 12”晶圓，包括磊晶片、退火片、拋光片及SOI；氮化鎵產(chǎn)品將展出6”及8” Crack Free GaN/Si；及碳化矽產(chǎn)品將展出晶球及雙拋晶片。并將于展場上說明功率半導體市場需求的關鍵材料、技術及產(chǎn)品等相關資訊。

此外，環(huán)球晶圓營運暨研發(fā)副總經(jīng)理徐文慶博士，將于4月13日13：30于功率元件創(chuàng)新技術發(fā)表會上，發(fā)表“寬能隙功率半導體的關鍵材料”的主題演講，將針對寬能隙功率半導體元件之關鍵材料，進行技術探討、產(chǎn)品應用領域介紹，并介紹環(huán)球晶圓于功率半導體全域應用的產(chǎn)品布局及市場地位。